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中国科学技术大学2025考研招生入学考试大纲:879 半导体物理出炉

来源:天任教育 | 更新时间:2024-11-28

考研大纲的变化是考生复习备考时需要特别关注的,从知识点名称的变化到内容变化,都要认真备考,因为这些新增考点很有可能成为考场上的试题。考生可以根据考纲的最新资讯调整学习任务。天任考研小编整理“中国科学技术大学2025考研招生入学考试大纲:879 半导体物理出炉”内容,供考研你备考用。

考试科目代码及名称 879 半导体物理

一、考试范围及要点

半导体的晶格结构和电子状态;

杂质和缺陷能级;

载流子的统计分布;

载流子的散射及电导问题;

非平衡载流子的产生、复合及其运动规律;

半导体的表面和界面─包括p-n结、金属半导体接触、半导体表面及MIS结构、异质结;

半导体的光、热、磁、压阻等物理现象

二、考试形式与试卷结构

答卷方式:闭卷,笔试

答卷时间:180 分钟

题型:选择题,填空题,简答题(包含名词解释),论述题

各部分内容比例

试卷满分为 150分,选择题、填空题50分,简答题(包含名词解释)40分,论述题60分

参考书目名称 作者 出版社 版次 年份

半导体物理学 刘恩科,朱秉升,罗晋生 电子工业出版社 2017

以上是天任考研为考生整理【中国科学技术大学2025考研招生入学考试大纲:879 半导体物理出炉】的相关信息,考生在备考过程中想要了解考研课程,可以在右侧窗口留言,会有老师一对一为大家答疑解惑,助力各位考生顺利进入理想院校。

原标题:2025年中国科大硕士招生考试部分科目考试大纲

文章来源:http://yz.ustc.edu.cn/article/2752/182?num=-1

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