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白云 女 硕导 中国科学院微电子研究所
电子邮件： baiyun@ime.ac.cn
通信地址： 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所四室
邮政编码： 100029
招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息
招生方向
射频、微波器件与电路集成技术
教育背景
2020-08--中国科学院微电子研究所 研究员
2004-09--中国科学院上海技术物理研究所 博士
2001-09--河北师范大学 硕士
1996-09--河北师范大学 学位
工作经历
工作简历
2020-08~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员
2010-10~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研
2009-09~现在, 中国科学院微电子研究所, 助研
2007-09~现在, 中国科学院微电子研究所, 博士后
2004-09~现在, 中国科学院上海技术物理研究所, 博士
2001-09~现在, 河北师范大学, 硕士
1996-09~现在, 河北师范大学, 学位
专利与奖励
奖励信息
(1) 高电流密度SiC电力电子器件关键技术及应用, 二等奖, 省级, 2019
(2) SiC电力电子器件关键技术及应用, 三等奖, 省级, 2018
专利成果
( 1 ) 一种SiC肖特基二极管及其制作方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201110380662.2
( 2 ) 具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: 200910306624.5
( 3 ) 一种基于AlGaN的全波段紫外探测器及其制备方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: 200910306635.3
( 4 ) 一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201210483461.X
( 5 ) 一种SiC肖特基二极管及其制作方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210483401.8
( 6 ) 一种测量高Al组分AlGaN刻蚀诱生界面态参数的方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210482757.X
( 7 ) 一种具有增益的紫外探测器结构及其制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210483359.X
( 8 ) SiC肖特基二极管及其制作方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: 201110380007.7
( 9 ) 一种场限环结终端结构的优化设计方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201410671594.9
( 10 ) 双极晶体管及其制备方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201810894043.7
( 11 ) 一种碳化硅电力电子器件制备方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: 202110145212.9
( 12 ) 一种碳化硅器件的制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: 202110145208.2
出版信息
发表论文
(1) A Novel 4H-SiC Trench MOSFET Integrated With Mesa-Sidewall SBD, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 第 2 作者
(2) A novel 4H-SiC MOSFET for low switching loss and high-reliability applications, Semicond. Sci. Technol., 2020, 第 3 作者
(3) A trench/planar SiC MOSFET integrated with SBD (TPSBD) for low reverse recovery charge and low switching loss, Semicond. Sci. Technol., 2020, 第 2 作者
(4) Improved Electrical Properties of NO-nitrided Passivated SiC/SiO2 Interface after Electron Irradiation, Chin. Phys. B, 2019, 第 2 作者
(5) Analysis of the inhomogeneous barrier and phase composition of W/4H-SiC Schottky contacts formed at different annealing temperatures, Chin. Phys. B, 2018, 第 2 作者
(6) Design and Simulation of 4H-SiC MESFET Ultraviolet Photodetector with Gain, Materials Science Forum, 2017, 第 1 作者
(7) Structural Optimization of 4H-SiC BJT for Ultraviolet detection with High optical gain, Materials Science Forum, 2016, 第 1 作者
(8) Design and Optimization of AlGaN Solar-blind Double Heterojunction, Materials Science Forum, 2016, 第 1 作者
(9) Effect of Annealing on the Characteristics of Pd/Au Contacts to p-Type GaN/Al0.45Ga0.55N, Journal of Electronic Materials, 2012, 第 1 作者
(10) Effect of radio frequency power on the inductively coupled plasma etched Al0.65Ga0.35N surface, Applied Surface Science, 2010, 第 1 作者
科研活动
科研项目
( 1 ) 高增益碳化硅紫外光电晶体管基础问题研究, 主持, 国家级, 2013-01--2016-12
( 2 ) 高增益AlGaN日盲紫外异质结光电晶体管基础问题研究, 主持, 国家级, 2011-01--2013-12
( 3 ) 1700V/30ASiC MOSFET 器件研制, 主持, 省级, 2017-01--2018-12
( 4 ) 化合物基车用芯片材料技术研究, 主持, 院级, 2017-01--2018-12
( 5 ) 高温SiC芯片研究, 主持, 国家级, 2016-07--2021-06
( 6 ) 碳化硅xx器件xx关键技术研究, 主持, 研究所(学校), 2020-01--2021-12
( 7 ) 高质量碳化硅xx工艺技术研究, 主持, 研究所(学校), 2020-01--2022-12
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