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北京理工大学2023年自命题考研大纲:887集成电路工程基础

来源:天任考研  |  更新时间:2022-09-22 13:34:11  |  关键词: 北京理工大学考研 北京理工大学考研大纲

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北京理工大学2023年自命题考研大纲:887集成电路工程基础

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北京理工大学2023年自命题考研大纲:887集成电路工程基础

  1.考试内容

  (1)电子技术基础部分

  主要包括二极管、三极管的结构、特性及主要参数;掌握饱和、放大、截止的基本概念和条件。掌握二极管的基本应用。掌握BJT和FET放大电路的组成和工作原理。掌握图解分析法和等效模型分析法。掌握放大电路的三种组态及性能特点。电路的三种耦合方式及特点。反馈的基本概念:正、负反馈;电压、电流、串联、并联负反馈;掌握反馈类型和极性判断,引入负反馈对放大性能的影响。掌握运放电路的基本构成,差放与电流源电路。掌握比例、加减、微积分线性运算电路。一般了解对数、指数运算电路的工作原理。掌握频率响应的概念,以及放大电路频率响应的分析,了解产生自激振荡的条件。掌握一阶、二阶有源滤波器的电路组成、频率特性。掌握电压比较器,用电压比较器组成的非正弦波发生电路。

  (2)半导体物理部分

  主要包含半导体中的电子状态;半导体中的电子状态和能带、电子的运动,本征半导体的导电机构、空穴,回旋共振,硅和锗的能带结构;半导体中的杂质和缺陷能级,硅、锗晶体中的杂质能级、缺陷、位错能级;半导体中载流子的统计分布、状态密度,费米能级、载流子浓度的计算,简并半导体;载流子的位移与扩散运动,载流子的散射、迁移率、电阻率、强场效应、热载流子、多能谷散射,耿氏效应;非平衡载流子的注入,复合寿命,费米能级,复合理论,陷阱效应,载流子的迁移运动,爱因斯坦关系,连续性方程;PN结的伏安特性,PN结电容,击穿;金属和半导体的接触的理论,少子的注入与欧姆接触;表面态,表面场效应,C-V特性,表面电场对PN结特性的影响;半导体的光学性质,光电性质,发光现象,半导体激光器;半导体的热电性质,温差电动势率,热电效应及其应用;半导体磁效应和压阻效应。

  2. 题型及分值安排

  (1) 题型:简答题和计算题。简答题包含概念题和重要数学公式及其物理意义,计算题包含数学模型、重要物理量计算、设计等。

  (2) 分值安排:简答题占40%,计算题占60%。

  参考书目

  《电子技术基础-模拟部分》(第6版)高等教育出版社康华光2013年

  半导体物理学(第7版)电子工业出版社刘恩科,朱秉升,罗晋生等2017年

  原标题:北京理工大学2023年硕士研究生招生考试业务课考试大纲

  文章来源:https://grd.bit.edu.cn/zsgz/ssyjs/tzgg_ss/d0ba6e3ab46a45dea95c84a867ebeb52.htm

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