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陈后鹏 男 硕导 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件： chp6468@mail.sim.ac.cn
通信地址： 上海市长宁路865号8号楼414室
邮政编码： 200050
招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
080902-电路与系统
085400-电子信息
招生方向
模拟集成电路设计
存储器集成电路设计
神经网络电路设计
教育背景
1993-09--2006-07 上海交通大学 研究生博士学位
1983-09--1990-07 西安交通大学 本科学士及研究生硕士学位
工作经历
工作简历
2008-12~现在, 中科院上海微系统与信息技术研究所, 相变存储器芯片设计
2007-04~2008-11,芯致电子科技公司(HK), 集成电路设计技术总监
2006-04~2007-04,华润矽威电子有限公司, 集成电路设计高级工程师
2002-04~2006-04,上海贝岭股份有限公司, 集成电路设计高级工程师
1996-08~2002-04,上海交通大学, VLSI研究所副所长
1993-09~2006-07,上海交通大学, 研究生博士学位
1983-09~1990-07,西安交通大学, 本科学士及研究生硕士学位
教授课程
相变存储器技术基础
专利与奖励
奖励信息
(1) 八面体基元理论指导发现新型相变材料在128Mb存储芯片中应用, 一等奖, 部委级, 2019
(2) 相变存储芯片制造核心技术及嵌入式应用, 二等奖, 省级, 2018
(3) 嵌入式相变存储器的新型存储材料与芯片制造技术, 三等奖, 部委级, 2017
专利成果
( 1 ) 超低电压启动双路输出的DCDC转换电路及其实现方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: ZL201910364378.2
( 2 ) 具有零静态功耗的上电复位/掉电检测电路及其实现方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: ZL201811455080.4
( 3 ) 一种扩展存储器操作次数的电路结构及方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: ZL201710813137.2
( 4 ) 三维存储器读出电路及其字线与位线电压配置方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: ZL201710102254.8
( 5 ) Read circuit of storage class memory with a read reference circuit, having same bit line parasitic parameters and same read transmission gate parasitic parameters as memory, 2020, 第 2 作者, 专利号: U.S. Patent 10,679,697[P]
( 6 ) 一种应用于神经元的全数字仿生电路及系统, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN201910986671.2
( 7 ) 一种突触模块、突触阵列以及基于突触阵列的权重调节方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN201910806731.8
( 8 ) 一种突触电路、突触阵列及基于突触电路的数据处理方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN201910806010.7
( 9 ) 三维非易失性存储器件及其制造方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: ZL201710218226.2
( 10 ) 一种三维存储器读出电路及读出方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: ZL201710092925.7
( 11 ) 相变存储器的多级存储读写方法及系统, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN201910605311.3
( 12 ) 一种三维存储器读出电路及读出方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: ZL201710092925.7
( 13 ) 三维非易失性存储器件及其制造方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: ZL201710218226.2
( 14 ) 相变存储器的整体擦除装置, 2019, 第 2 作者, 专利号: ZL201710041124.9
( 15 ) 相变存储器的整体擦除装置, 2019, 第 2 作者, 专利号: ZL201710041124.9
( 16 ) 超低电压启动双路输出的DCDC转换电路及其实现方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN201910364378.2
( 17 ) 相变存储器读出电路及其数据读取方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: ZL201610744117.X
( 18 ) 相变存储器读出电路及其数据读取方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: ZL201610744117.X
( 19 ) 一种轻载降频模式控制系统, 2019, 第 3 作者, 专利号: ZL201610231262.8
( 20 ) 一种轻载降频模式控制系统, 2019, 第 2 作者, 专利号: ZL201610231262.8
( 21 ) 具有初始化功能的相变存储器写擦电路及其快速写擦方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201310674694.2
( 22 ) 具有实时触发器状态保存功能的触发器电路, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201310290019.X
( 23 ) 三维垂直型存储器读出电路及读出方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201710891378.9
( 24 ) 三维垂直型存储器核心电路及位线与字线电压配置方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201710889441.5
( 25 ) 一种扩展存储器操作次数的电路结构及方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710813137.2
( 26 ) 参考电阻优化的相变存储器读电路及参考电阻优选方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201410182102.X
( 27 ) 开关电源电感的电流过零检测方法、电路及控制方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710532828.5
( 28 ) 开关电源电感的电流过零检测电路, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201720792343.5
( 29 ) 三维非易失性存储器件及其制造方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201710218226.2
( 30 ) 一种三维存储器读出电路及读出方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201710092925.7 PCT/CN2017/081816
( 31 ) 相变存储器阵列堆叠结构及其操作方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201410115086.2
( 32 ) 增强型堆叠式ESD电路及混合电压输入输出接口电路, 2016, 第 2 作者, 专利号: 2016108463640
( 33 ) 一种相变存储的快速擦写操作方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: 201210436990.4
( 34 ) 相变存储器读出电路及其数据读取方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: 201610744117X
( 35 ) READ CIRCUIT OF STORAGE CLASS MEMORY, 2016, 第 2 作者, 专利号: PCT/CN2016/096649
( 36 ) 一种SPI 接口输出电路、相变存储器的读控制电路及方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: 201410077445X
( 37 ) 一种电荷泵电路及其输出电压自动调节方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: 2014101000475
( 38 ) 一种相变存储器读出电路及读出方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: 2016104866178
( 39 ) 一次性可编程存储器及其编程方法与读取方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 2013107292487
( 40 ) 一种开关电源的过零检测电路, 2016, 第 1 作者, 专利号: 2014101779997
( 41 ) 一种单绕组非隔离LED恒流驱动系统及其驱动控制方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 2016102599736
( 42 ) 一种轻载降频模式控制系统, 2016, 第 2 作者, 专利号: 2016102312628
( 43 ) 具有掉电数据保持功能的触发器, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201110164882.1
( 44 ) Data Readout Circuit of Phase Change Memory, 2015, 第 2 作者, 专利号: US8947924B2
出版信息
发表论文
(1) An Ultra-Low Quiescent Current Resistor-less Power On Reset Circuit, IEEE TCSII, 2020, 通讯作者
(2) BIST-Based Fault Diagnosis for PCM With Enhanced Test Scheme and Fault-Free Region Finding Algorithm, IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, 2020, 第 4 作者
(3) A self-start circuit with asymmetric inductors reconfigurable technology for dual-output boost converter for energy harvesting, IEICE Electronics Express, 2020, 通讯作者
(4) 2V/3 Bias Scheme with Enhanced Dynamic Read Performances for 3-D Cross Point PCM, IEEE International Symposium on Circuits and Systems, 2020, 2020, 第 3 作者
(5) Near-threshold SIDO DC-DC converter with a high-precision ZCD for phase change memory chip, IEICE Electronics Express, 2019, 通讯作者
(6) Enhancing Performances of Phase Change Memory for Embedded Applications, physica status solidi (RRL), 2019, 第 2 作者
(7) Speeding Up the Write Operation for Multi-Level Cell Phase Change Memory with Programmable Ramp-Down Current Pulses, MICROMACHINES; VOL.10, No.7, JUL 2019, 2019, 第 3 作者
(8) Design and security evaluation of PCM-based rPUF using cyclic refreshing strategy, IEICE Electronics Express, 2018, 通讯作者
(9) A Single-Reference Parasitic-Matching Sensing Circuit for 3-D Cross Point PCM, IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, 2018, 通讯作者
(10) A Changing-Reference Parasitic-Matching Sensing Circuit for 3-D Vertical RRAM, IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, 2018, 通讯作者
(11) A Novel Zero Current Detector for Single-Inductor Double-Output DC-DC Converter, 2018 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid State Circuits (EDSSC), 2018, 第 3 作者
(12) 相变存储器预充电读出方法, 浙江大学学报(工学版), 2018, 第 2 作者
(13) 支持逻辑电路辅助计算的相变存储系统设计, 上海交通大学学报, 2018, 第 3 作者
(14) Set/reset reference and parasitic matching scheme to speed up PCM read operation, Electronics Letters, 2017, 通讯作者
(15) Enhanced read performance for phase change memory using a reference column, IEICE Electronics Express, 2017, 通讯作者
(16) Enhanced 3×VDD-tolerant ESD clamp circuit with stacked configuration, IEICE Electronics Express, 2017, 通讯作者
(17) A novel 3×VDD-tolerant ESD detection circuit in advanced CMOS process, IEICE Electronics Express, 2017, 通讯作者
(18) Feasibility study of current pulse induced 2-bit/4-state multilevel programming in phase-change memory, Solid-State Electronics, 2017, 第 3 作者
(19) 带轻载变频模式的升压式DC-DC转换器设计, 上海交通大学学报, 2017, 第 2 作者
(20) 基于相变单元测试的高速可编程脉冲电流源, 固体电子学研究与进展, 2017, 第 2 作者
(21) Capacitor-less LDR based on flipped voltage follower with dual-feedback loops, IEICE Electronics Express, 2017, 通讯作者
(22) A novel 3×VDD-tolerant ESD detection circuit in advanced CMOS process, IEICE Electronics Express, 2017, 通讯作者
(23) 新型低漏电ESD电源钳位电路, 微电子学, 2016, 第 2 作者
(24) Set Programming Method and Performance Improvement of Phase Change Random Access Memory Arrays, Chinese Physical Letters, 2015, 通讯作者
(25) A smart primary side current sensing strategy for single stage isolated PFC controller, ICICE Electronics Express, 2015, 通讯作者
(26) Methods to speed up read operation in a 64Mbit phase change memory chip, ICICE Electronics Express, 2015, 通讯作者
科研活动
科研项目
( 1 ) 集成电路重大专项 (2009ZX02023-003), 参与, 国家级, 2009-01--2018-12
( 2 ) 高密度交叉阵列结构的新型存储器件与集成(2017YFA0206100), 参与, 国家级, 2017-07--2022-06
( 3 ) 中国科学院战略性先导科技专项(XDA09020402), 参与, 部委级, 2013-06--2018-09
( 4 ) 分离态文档管理算法及存储方案的设计研究, 参与, 部委级, 2016-01--2017-12
( 5 ) 基于PCRAM的MCU设计, 主持, 院级, 2015-03--2015-12
( 6 ) ECC 纠错IP模块设计, 主持, 院级, 2017-04--2017-05
( 7 ) 基于内存计算的BBU高层协议处理, 主持, 院级, 2019-11--2021-07
( 8 ) 基于多值相变存储的神经形态芯片研究, 参与, 省级, 2019-11--2022-10
( 9 ) 三维相变存储器材料筛选和设计, 参与, 院级, 2020-04--2020-12
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