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中国科学院大学硕士研究生导师信息：崔利杰
崔利杰 男 硕导 中国科学院半导体研究所
电子邮件： ljcui@red.semi.ac.cn
通信地址： 北京海淀区清华东路甲35号中科院半导体所材料科学重点实验室
邮政编码：
招生信息
招生专业
080501-材料物理与化学
招生方向
分子束外延，二维电子气，自旋轨道耦合，化合物半导体
垂直腔面发射激光器，激光器
InGaAs太赫兹外延材料
教育背景
2002-07--2004-10 中国科学院半导体研究所 博士后流动站
1999-09--2002-06 中国科学院半导体研究所 博士
工作经历
工作简历
2004-11~现在, 中国科学院半导体研究所, 任职
2002-07~2004-10,中国科学院半导体研究所, 博士后流动站
1999-09~2002-06,中国科学院半导体研究所, 博士
专利与奖励
专利成果
( 1 ) p型碲化锌单晶薄膜材料的掺杂方法, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN201310419775.8
出版信息
发表论文
(1) Beating patterns in the Shubnikov-de Haas oscillations originated from spin splitting in In0.52Al0.48As/In0.65Ga0.35As heterostructures: experiment and calculation, PhysicaE, 2016, 第 1 作者
(2) Growth and characterization of highly nitrogen doped ZnTe films on GaAs (001) by molecular beam epitaxy, Materials Science in Semiconductor Processing, 2015, 第 4 作者
(3) 硅基II-VI族单结及多结太阳电池研究进展, 半导体技术, 2014, 第 3 作者
(4) Structural, surface, and electrical properties of nitrogen ion implanted ZnTe epilayers, Appl. Phys. A, 2014, 第 3 作者
(5) II-VI族材料在叠层太阳能电池中的应用, 真空科学与技术学报, 2013, 第 3 作者
(6) 快速退火对ZnTe外延层性能及In电极的影响, 半导体技术, 2013, 第 4 作者
(7) 常用太阳电池结构模拟软件应用分析, 中国材料科技与设备, 2013, 第 2 作者
(8) Effects of a ZnTe buffer layer on structural quality and morphology of CdTe epilayer grown on (001)GaAs by molecular beam epitaxy, Vacuum, 2012, 第 4 作者
科研活动
科研项目
( 1 ) 新型II-VI/III-V族多结叠层太阳电池材料与器件研究, 负责人, 国家任务, 2014-01--2017-12
( 2 ) 新型窄带隙锑化物二维电子气材料的自旋轨道耦合研究, 参与, 地方任务, 2014-01--2016-12
( 3 ) 中压高稳定碳化硅MOSFET芯片关键工艺及制备技术研究, 参与, 国家任务, 2016-07--2021-06
( 4 ) 量子霍尔器件研制, 参与, 国家任务, 2021-01--2023-12
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