考研中一般在复试期间大家会联系硕士研究生导师，因为提前联系运气好的话，导师看到你的简历后可能对你非常感兴趣，在不违背原则的前提下没准会对你的复试指点一二。那在和导师邮件沟通的过程中如果你对导师的学术著作颇有研究或者在考研前就已经瞄准某位导师，那就很有必要对于硕士研究生导师的信息提前熟悉了解，方便以后的沟通。下面天任考研频道为大家分享：“中国科学院大学硕士研究生导师信息：陈平”文章。
中国科学院大学硕士研究生导师信息：陈平
陈平 男 硕导 中国科学院半导体研究所
电子邮件： pchen@semi.ac.cn
通信地址： 北京海淀区清华东路甲35号1号楼214室
邮政编码： 100083
招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
III-V光电子材料外延生长和器件研制
GaN基激光器
AlN场发射材料及器件
教育背景
2003-09--2008-06 中国科学院研究生院 博士
1999-09--2003-06 中国科学技术大学 学士
工作经历
工作简历
2018-01~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员
2017-09~2019-09,美国佐治亚理工学院, 访问学者
2013-01~2017-12,中国科学院半导体研究所, 副研究员
2008-07~2012-12,中国科学院半导体研究所, 助理研究员
2003-09~2008-06,中国科学院研究生院, 博士
1999-09~2003-06,中国科学技术大学, 学士
教授课程
宽禁带半导体光电子材料与器件
专利与奖励
专利成果
( 1 ) 低比接触电阻率的p型接触层以及氮化镓基紫外激光器, 2020, 第 1 作者, 专利号: 202010263086.2
( 2 ) 具有复合波导层的氮化镓基近紫外激光器, 2020, 第 1 作者, 专利号: 202010234429.2
( 3 ) 具有AlInN镁反向扩散阻挡层的氮化镓基紫外激光器, 2020, 第 1 作者, 专利号: 202010234396.1
( 4 ) 抑制反向漏电的氮化镓基紫外发光器件及其制作方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: 202010234397.6
( 5 ) 一种具有非对称Al组分AlGaN限制层的氮化镓基激光器, 2018, 第 1 作者, 专利号: ZL.201510052314.0
( 6 ) 阶梯状组分渐变的AlN薄膜型冷阴极, 2017, 第 1 作者, 专利号: ZL.201510094612.6
( 7 ) 碳化硅衬底上的AlN冷阴极结构, 2017, 第 1 作者, 专利号: ZL.201510094613.0
( 8 ) 小型化、集成化的硅基场发射-接收器件, 2017, 第 1 作者, 专利号: ZL.201510094671.3
( 9 ) 可以减少AlN冷阴极表面氧化的电子接收结构, 2017, 第 1 作者, 专利号: ZL.201510093713.1
出版信息
发表论文
(1) Epitaxial growth and optically pumped stimulated emission in AlGaN/InGaN ultraviolet multi-quantum-well structures, Journal of Electronic Materials, 2020, 第 1 作者
(2) Evaluation of polarization field in InGaN/GaN multiple quantum well structures by using electro- luminescence spectra shift, Chin. Phys. B, 2020, 第 1 作者
(3) Optical stimulated emission in AlGaN/InGaN ultraviolet multiquantum-well structures, Proc. SPIE, 2019, 第 1 作者
(4) Electroluminescence property improvement by adjusting quantum wells' position relative to p-doped region in InGaN/GaN multiple-quantum-well light emitting diodes, AIP Advances, 2017, 第 1 作者
(5) Investigation of breakdown mechanism during field emission process of AlN thin film microscopic cold cathode, J. Vac. Sci. Technol. B, 2016, 通讯作者
(6) Large filed emission current from Si-doped AlN film grown by MOCVD on n-type (001) 6H-SiC, Chem. Phys. Lett., 2016, 通讯作者
(7) The thickness design of unintentionally doped GaN interlayer matched with background doping level for InGaN-based laser diodes, AIP Advances, 2016, 第 1 作者
(8) Observation of positive and small electron affinity of Si-doped AlN films grown by metalorganic chemical vapor deposition on n-type 6H-SiC, Chin. Phys. B, 2016, 通讯作者
(9) Thin film micro-scaled cold cathode structures of undoped and Si-doped AlN grown on SiC substrate with low turn-on voltage, Chin. Phys. B, 2015, 通讯作者
(10) The effect of composite GaN/InGaN last barrier layer on electron leakage current and modal gain of InGaN-based multiple quantum well laser diodes, Phys. Status Solidi A, 2015, 第 1 作者
(11) High Power InGaN-based Blue-Violet Laser Diode Array with Broad-area Stripe, Chin. Phys. Lett. 30, 104205, 2013, 第 1 作者
(12) Quadratic electro-optic effect in GaN-based materials, Appl. Phys. Lett. 100, 161901, 2012, 第 1 作者
(13) Improvement of characteristics of InGaN-based laser diodes with undoped InGaN upper waveguide layer, J. Appl. Phys. 112, 113105, 2012, 第 1 作者
(14) Interaction between the intrinsic second- and third-order optical fields in Al0.53Ga0.47N/GaN heterostructure, Applied Physics Letters, 92, 161112, 2008, 第 1 作者
(15) Enhanced Pockels effect in GaN/AlxGa1-xN superlattice measured by polarization maintaining fiber Mach-Zehnder interferometer, Applied Physics Letters, 91, 031103, 2007, 第 1 作者
科研活动
科研项目
( 1 ) 负电子亲和势AlN冷阴极材料的平面电子发射特性研究, 主持, 国家级, 2014-01--2017-12
( 2 ) 宽带隙半导体激光器关键科学问题研究, 参与, 国家级, 2013-01--2016-12
( 3 ) 中国科学院青年创新促进会, 主持, 部委级, 2014-01--2017-12
( 4 ) 低In组分InGaN量子阱中载流子泄漏的抑制及GaN基近紫外激光器研究, 主持, 国家级, 2017-01--2020-12
( 5 ) 第三代半导体固态紫外光源材料及器件关键技术, 参与, 国家级, 2016-07--2021-06
( 6 ) 硅衬底ALGaN基紫外LED, 参与, 部委级, 2017-01--2018-12
( 7 ) GaN基紫外垂直腔面发射激光器的量子效率调控和器件研制, 主持, 国家级, 2021-01--2024-12
参与会议
(1)Growth of AlGaN/InGaN multiple quantum wells and p-AlGaN layers for 369nm ultraviolet light emitting devices 2019-07-28
(2)Epitaxial growth and optically pumped stimulated emission in AlGaN/InGaN ultraviolet multi-quantum-well structures 2019-06-26
(3)Material growth and device fabrication of GaN-based ultraviolet laser diodes 2019-02-02
(4)Material growth and device fabrication of GaN-based laser diodes in ultraviolet region from 390 nm towards 370 nm 2018-06-27
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