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中国科学技术大学2025考研招生入学考试大纲:879半导体物理 中国科学技术大学21考研

来源:天任考研  |  更新时间:2024-12-17 11:43:10  |  关键词: 中国科学技术大学 2025考试大纲

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中国科学技术大学2025考研招生入学考试大纲:879半导体物理 中国科学技术大学21考研

中国科学技术大学2025考研招生入学考试大纲:879半导体物理已经公布啦,考研考试大纲是指全国硕士研究生入学统一考试科目的指导性文件,它包括公共课考试大纲和专业课考试大纲两类。下面的内容供各位同学们参考。

中国科学技术大学2025考研招生入学考试大纲:879半导体物理

考试科目代码及名称 879 半导体物理

一、考试范围及要点

半导体的晶格结构和电子状态;

杂质和缺陷能级;

载流子的统计分布;

载流子的散射及电导问题;

非平衡载流子的产生、复合及其运动规律;

半导体的表面和界面─包括p-n结、金属半导体接触、半导体表面及MIS结构、异质结;

半导体的光、热、磁、压阻等物理现象

二、考试形式与试卷结构

答卷方式:闭卷,笔试

答卷时间:180 分钟

题型:选择题,填空题,简答题(包含名词解释),论述题

各部分内容比例

试卷满分为 150分,选择题、填空题50分,简答题(包含名词解释)40分,论述题60分

参考书目名称 作者 出版社 版次 年份

半导体物理学 刘恩科,朱秉升,罗晋生 电子工业出版社 2017

具体信息请考生关注院校官网等发布的官方消息。

今天给大家介绍的中国科学技术大学2025考研招生入学考试大纲:879半导体物理就到这里啦,考研大纲不仅是考生备考的指南,而且是考试命题的依据。想要了解更多考研信息可以咨询客服,客服会给大家解答的哦。

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