天任考研小编为大家整理了“24计算机考研知识汇总：动态RAM的刷新”相关内容，为计算机考研的考生们提供指导。更多有关计算机考研知识点可关注考研备考栏目。
24计算机考研知识汇总：动态RAM的刷新
动态RAM的刷新
一般取2ms，对动态RAM的全部基本单元电路必作一次刷新，称为刷新周期，又称再生周期。刷新的单位是行，仅需要行地址。
①集中刷新：在规定的一个刷新周期内，对全部存储单元集中一段时间逐行进行刷新，此刻必须停止读/写操作，称“死时间”或“死区”。(全部一起刷)
②分散刷新：对每行存储单元的刷新分到每个存取周期内完成。优点：没有死区。缺点：存取周期加长，整个系统速度降低。(一个个刷)
③异步刷新：是前两种方式的结合，既缩短“死时间”，又充分利用最大刷新时间间隔为2ms的特点。(一行行刷)
一行行刷的平均刷新时间：
行数=芯片容量/每行存储单元个数
平均刷新时间=间隔最长/行数
以上是天任考研小编为大家带来的“24计算机考研知识汇总：动态RAM的刷新”，希望考生们都能备考顺利，考上自己心仪的院校。想了解更多计算机考研备考相关内容请关注考研备考栏目。
